晶体管的动力之源:IdSAT究竟由谁决定
本文介绍了影响晶体管饱和电流的各项因素。 在芯片性能的比拼中,有一个参数几乎成了晶体管速度的代名词——饱和电流(IdSAT)。它衡量的是晶体管完全导通时,从漏极流向源极的最大电流。IdSAT越大,逻辑门的翻转就越快,芯片的主频就越高。那么,这个决定芯片“马力”的关键参数,究竟被哪些制造工艺所左右?我们从最基本的物理公式出发,一层层拆解。 一、IdSAT的“第一性原理”公式对于先进工艺中的短沟道晶
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本文介绍了影响晶体管饱和电流的各项因素。 在芯片性能的比拼中,有一个参数几乎成了晶体管速度的代名词——饱和电流(IdSAT)。它衡量的是晶体管完全导通时,从漏极流向源极的最大电流。IdSAT越大,逻辑门的翻转就越快,芯片的主频就越高。那么,这个决定芯片“马力”的关键参数,究竟被哪些制造工艺所左右?我们从最基本的物理公式出发,一层层拆解。 一、IdSAT的“第一性原理”公式对于先进工艺中的短沟道晶
本文主要讲述封装载板制造特殊工艺。 在行业通用的载板制造领域中,除了减成法(Tenting)、改良型半加成法(mSAP)、半加成法(SAP)这三种主流核心技术路线外,还包含无芯工艺(Coreless)、嵌入式线路工艺(ETS,即 Embedded Trace Substrate/Embedded Pattern Process)、无芯铜柱法工艺(Via Post Coreless)等特殊工艺。 这
本文主要讲述薄膜应力与晶圆曲率法。 薄膜是现代微电子、光子学与微机电系统(MEMS)器件最基础的构成单元,小到芯片里的导电层、绝缘层,大到光学镜头的镀膜、MEMS传感器的微结构,都离不开薄膜材料,而这些薄膜的性能稳定性、器件使用寿命,核心都由内部的残余应力所决定。 这种应力并非微电子时代才出现的新问题,早在传统电沉积加工、光学涂层制备的年代,科研人员就已经发现薄膜应力会直接影响产品质量,经过数十
制造芯片的复杂程度超过制造火箭。阅读本案例研究,了解美光如何率先在制造、物流和业务流程中应用 AI,并将其大规模部署,从而实现技术优势地位。 美光在利用人工智能 (AI) 技术方面绝不仅限于空谈。公司将数据分析和 AI 应用于自身制造流程,真正做到了言行一致。美光将 AI 融入业务运营的核心,通过业界前沿内存和存储解决方案,彰显其赋能技术的卓越价值。 智能制造是自动化的更高阶段。其关键在于大规模智
文章详细介绍了不同厚度晶圆的切割工艺,包括刀片切割、激光切割和等离子切割,并讨论了保护膜(UV膜和蓝膜)在晶圆切割过程中的应用。
本文详细分析了晶圆划片刀的选择对芯片制造的影响,包括金刚石颗粒大小、颗粒集中度、分离剂强度、刀片厚度等因素,并提供了合理选刀的建议。