DRAM：传统计算架构中的主内存
DRAM 技术正从 10nm 级向更先进节点迈进。为满足 AI 等高算力需求，电容器、晶体管与位单元架构迎来创新，同时外围电路面临热稳定性、多样化性能与成本控制的多重挑战。 几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器（DRAM）作为其主内存，提供处理单元检索数据和程序代码所需的临时存储空间。高速运行、高集成密度、高性价比以及卓越的可靠性，促成 DRAM 技术在众多电子设备中的广泛应用。 DRA
制造工艺
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制造工艺技术
提前两年达成雄心勃勃的水回收利用目标，恩智浦是如何做到的？
水对人类、生态系统以及半导体生产都至关重要。每年，恩智浦的制造工厂大约使用120亿升水。2022年，我们启动了一项雄心勃勃的计划，旨在回收更多水资源并减轻对当地供水的压力。去年，我们提前两年实现了原定于2027年达成的目标——回收制造过程中60%的废水。 水在芯片制造中的关键作用 芯片是现代世界的基石。从智能手机、汽车到医疗设备和可再生能源系统，一切的核心都离不开它。然而，芯片制造是一个耗水量巨大
光刻过程中的PEB工艺是什么？有什么作用？
本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中，曝光后烘烤（Post-Exposure Bake，简称PEB）是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热，激活并完成光刻胶内的化学反应，从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻
什么是SC-1清洗液？
本文介绍了SC-1清洗液。 SC-1 (Standard Clean 1)，全称为标准清洗液一号，通常也叫做 APM (Ammonia Peroxide Mixture)。它是半导体制造中最著名、应用最广泛的清洗配方——RCA 清洗工艺的核心组成部分（由美国无线电公司 RCA 的 Werner Kern 于 1965 年发明）。 SC-1 的配方组成 SC-1 的经典化学配比是： 氨水 (NH3
高可靠封装发展
本文介绍了高可靠封装发展。 概述 封装的发展经历着几个不同的阶段。最初，是封装形式的演变(见图1)。随着集成电路规模的增大，封装的引脚数量激增，在追求高密度、多引脚的过程中，衍生出了很多新的封装形式和更小的引脚间距。在这个阶段，封装外壳仍然保持着芯片机械支撑、环境保护、引出信号线和作为芯片散热通路的基本功能。在一个外壳内一般只封装一颗集成电路芯片。在产品迭代过程中，新的封装形式和更小的引脚间距使得
直拉单晶硅的基本制备技术及方法
本文介绍了直拉单晶硅的基本制备技术及方法。 单晶硅的制造技术主要存在两种方法，分别为区熔法（FZ 法）和直拉法（CZ法）。 悬浮区熔法（FZ 法）是一种用于生产单晶硅的工艺技术，其核心在于通过熔融区域定向结晶实现晶体生长。在设备构造方面，炉体内上部通过刚性支撑结构固定高纯度多晶硅棒，底部区域配置高频感应线圈作为主要热源。该线圈通过电磁感应原理产生高温，配合特制耐火材料构筑的恒温环境，形成稳定的热力
黑瓷封装工艺及失效模式
本文介绍了黑瓷封装工艺及失效模式。 黑瓷封装工艺 黑瓷封装工艺流程如图1所示，使用能耐受420°C以上的以玻璃粉为主要成分的胶黏剂烧结粘片，然后完成引线键合，再将黑瓷基座倒扣在黑瓷盖板上，经烘烤除去水分，最后烧结、降温冷却完成玻璃熔封。 管壳清洗 黑瓷外壳在组装之前，应先用丙酮超声清洗3~5min，再用乙醇超声清洗3~5min，用去离子水漂洗并用乙醇脱水，最后烘干，以清除包装、运输过程中粘染的污
混合存储架构破解边缘AI片上内存瓶颈
边缘人工智能(Edge AI)使自动驾驶汽车、医疗传感器和工业监控器能够从实时接收到的真实世界数据中学习。如今，它已能够即时应用学习模型，同时严格管控能耗与硬件损耗。 这得益于一套混合内存系统，该系统将两种此前互不兼容的技术——铁电电容器和忆阻器——的最佳特性融合到一个与CMOS兼容的单一内存堆栈中。这种新型架构由CEA-Leti的科学家与法国微电子研究中心的研究人员合作开发。 他们的研究成果发
Supervia技术是什么？有什么作用？
本文介绍了Supervia技术。 随着半导体工艺推进至3nm及更先进节点，传统互连结构面临金属层过于拥挤和电阻电容（RC）延迟加剧的难题。为应对这一挑战，业界引入了一种名为Supervia（超通孔）的技术。 技术定义与原理 Supervia是一种双大马士革兼容的自对准结构，其核心特征是跨层直接连接。传统通孔仅能连接相邻金属层（如Mx到Mx+1），而Supervia允许跳过中间层，将金属层直接连至非
BJT的极致之道：从电流的艺术到异构融合的进化
本文介绍了双极型晶体管（BJT）。 在1947年贝尔实验室的那间小屋里，巴丁、布喇顿和肖克利发现了晶体管效应时，恐怕他们也未曾预见到，自己手中这只小小的器件会在七十多年后依然矗立于电子技术的核心舞台——它，就是双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）。 一、“双极”的本质：当电子和空穴共舞 BJT的全称揭示着它最根本的特性：bipolar（双极型的），意味
5分钟IN科普 | 芯片如何“更上一层楼”？我们来看这项封装技术！
随着AI芯片对先进封装的需求增长，英特尔提供的EMIB 2.5D封装解决方案，正获得越来越多厂商的青睐。这项技术通过硅桥实现了芯粒（Chiplet）在水平方向的紧密集成，从而在单个封装内组合更多芯片，打造出算力更强大的产品。在EMIB之外，英特尔也提供Foveros-S硅中介层技术和Foveros-R重布线层（RDL）技术。 在实现了水平的“横向扩展”之后，我们能否在垂直的“纵向维度”上也实现集成
Negative Tone Development (NTD)介绍
本文主要讲述NTD（负显影）。 在半导体光刻工艺中，传统正性胶配合碱性水溶液显影（即正显影，PTD）是主流技术。然而，随着工艺节点不断缩小，使用正显影来印刷小尺寸沟槽和通孔变得更具挑战性，因为这类图形通常需要暗场掩模，其光学图像对比度较差。 负显影（Negative Tone Development，NTD）是一种相对较新但至关重要的显影技术。它使用非极性有机溶剂作为显影液，选择性地溶解并去除未
玻璃熔封简介
本文主要讲述玻璃熔封。 概述 玻璃熔封(Glass Melting Sealing)又称低温玻璃熔封、黑瓷封装。该工艺是在黑瓷基座和盖板上预制玻璃胶，并采用低温玻璃将引线框架预烧在黑陶瓷基座上，烧结或粘结芯片后，用夹具定位黑瓷基座和盖板后，即可通过链式炉等烧结设备完成熔封。 黑瓷封装从20世纪90年代开始在我国发展起来，与塑封、陶瓷封装和金属封装不同，采用玻璃熔封实现气密封装，具有特殊的历史意义。
CFET cells - FEOL、BEOL 和背面互连的介绍
本文主要讲述CFET cells。 在现代半导体技术中，随着工艺节点的不断缩小和对性能、功耗的严格要求，CFET（Complementary FET） 技术逐渐成为一个研究热点。CFET 是基于互补型场效应晶体管（CMOS）技术的创新，采用了垂直集成的结构，有效提高了集成度和性能。为了实现CFET技术的全面应用，前端工艺（FEOL）、后端工艺（BEOL）以及背面互连（Backside Interc
软基材上的引线键合技术
本文主要讲述软基材上的引线键合技术。 传统的厚膜混合电路使用陶瓷基板，键合焊盘直接在陶瓷基材上涂覆一层Au或者Ag（合金）厚膜层。与陶瓷封装上的键合相比，这不会引入更多特定问题。因此，采用最佳的冶金系统和键合程序，可以获得高良率（≤50ppm缺陷）。然而，其他塑料基材（PCB、BGA和SIP等）可能会引入重大的键合问题，这些基材是由常见的玻璃纤维或其他填料层压形成的环氧类聚合物，在其玻璃化转变温度
一颗芯片，三种“人格”：BCD技术如何融合CMOS、DMOS和BJT
本文主要讲述BCD技术如何融合CMOS、DMOS和BJT。 在电源管理芯片的世界里，有一项技术被誉为“瑞士军刀”——它就是BCD工艺。BCD这个名字，其实是三种半导体器件的缩写：Bipolar（双极型晶体管）、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）。为什么要把这三种器件塞进同一颗芯片？它们各自扮演什么角色？工艺上又有什么不同？今天我们就来拆解这颗“三合一”的神奇芯片。
芯片生产中的Pirun是什么？有什么作用？
本文主要讲述芯片生产中的Pirun是什么，有什么用。 Pirun的基本概念与作用 在半导体晶圆厂（Fab）中，Pirun是Pilot Run的简称，指试生产或小批量生产。具体而言，它是在正式大规模量产之前，使用少量晶圆进行的一批小规模测试生产。这一环节的核心目的，是在可控的小范围内验证工艺的稳定性，确认新的工艺流程是否能满足要求，从而在正式大批量投产前及时发现并调整问题，降低经济损失。与常规的Mo
基于互连层的2.3DIC集成
本文主要讲述基于互连层的2.3DIC集成。 基本结构 图1为高密度有机混合基板上芯粒异质集成的俯视图和截面图。它由4个主要部分组成:①含微凸点的芯片;②精细金属L/S RDL基板或有机转接板(约37um厚);③互连层(约60um厚);④HDI印制电路板(PCB)(约1mm厚)，如图2所示。 测试芯片 使用的测试芯片如图3所示。可以看到，大芯片(芯片1)的尺寸为10mm×10mm×150um，其
扫描电镜中二次电子掺杂衬度的物理机制
本文介绍了扫描电镜中的二次电子掺杂衬度的物理机制。 二次电子（SE）发射强度是扫描电子显微镜（SEM）进行样品形貌表征时最常使用的信号，借助现代场发射电子源与高灵敏度探测器，高端SEM已可稳定实现亚纳米级的空间分辨率。 然而，SE信号在形貌表征中的压倒性应用，长期掩盖了其对材料本征物理属性的敏感响应能力，包括功函数、电子阻止本领以及电子平均自由程等。尤其值得关注的是，相邻区域之间的功函数差异可以被
聚合物基板的材料性能对引线键合的影响
本文介绍了IC芯片中聚合物基板的键合效果优化。 研究发现，在IC芯片上的有源区内进行热超声键合的最佳聚酰亚胺具有最高的弹性模量E，弹性模量即应力除以应变且需低于弹性极限。这一材料性能与聚合物的刚性相关，因此键合过程中材料形成的凹杯或压痕也与弹性模量有关。对于各向异性材料，压缩模量能更好地反映柔软性，但拉伸模量通常是唯一可测量的模量特性。键合过程中，无支撑的焊盘和聚合物的总形变见图1，这种形变会吸收